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STGWT40H65DFB相关型号
ST热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • STGWT40H65DFB

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）650V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）80A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)160A
  • 不同Vge，Ic 时的Vce（on）2V @ 15V，40A
  • 功率 - 最大值283W
  • 开关能量498µJ（开），363µJ（关）
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷210nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值40ns/142ns
  • 测试条件400V，40A，5 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）62ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商器件封装TO-3P

其它信息

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